2010年6月10日 星期四

(50) I307514 記憶體叢發模式之寫入方法與裝置

公告號I307514
專利名稱記憶體叢發模式之寫入方法與裝置
METHOD AND APPARATUS FOR BURST MODE WRITE
公告日2009/03/11
證書號I307514
申請日2006/09/28
申請號095135942
國際分類號
/IPC
G11C-007/10(2006.01)
公報卷期36-08
發明人徐世斌 HSU, SHIH-PIN
朱學田 JU, SHIUE-TIEN
楊榮平 YANG, RONG-PYNG
黃永賀 HUANG, YUNG-HO
申請人聯詠科技股份有限公司 NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. 新竹縣新竹科學工業園區創新一路13號2樓
代理人詹銘文;蕭錫清
引證資料TW504696
TW200421079 A;
US6216241 B1;
US6525971 B2;
US6691204 B1;
US7088625 B2;
摘要一種記憶體叢發模式(burst mode)之寫入方法與裝置,用以對內部記憶體進行叢發模式之存取。此記憶體叢發模式之寫入方法包括步驟如下。首先提供至少一組外部輸入資料,其包含N個目的資料,其中N為大於1之整數。然後於N個週期時間中依序閂鎖該組外部輸入資料之目的資料,其中係於每一個週期時間中閂鎖對應之一個目的資料。然後於一個週期時間中將所有被閂鎖目的資料依序寫入內部記憶體。

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